除了生长参数，网中外界激励，如温度、电场均会影响HfO2多晶薄膜相结构及铁电性。
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术研 相关研究成果以VerticalMoS2 transistorswithsub-1-nmgatelengths为题发表在Nature上。二、目获【成果掠影】 今日，目获清华大学任天令教授和田禾副教授（共同通讯作者）等人使用石墨烯层的边缘作为栅极，演示了具有原子级薄沟道和物理栅极长度低于1nm的侧壁MoS2晶体管。
CVD石墨烯薄膜具有高导电性，科技可以最大限度地减少沿栅极层的电压降。近年来，网中涵盖从半金属、半导体到绝缘体的广泛使用的导电性二维材料，在下一代电子器件中引起了极大的关注。
